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Typical Electrical Characteristics: N-Channel (continued)
1.12
10
1.08
I D = 250μA
5
V GS = 0V
1.04
1
0.5
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.1
1
0.96
0.01
0.92
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 7. N-Channel Breakdown Voltage Variation
with Temperature.
1000
10
Figure 8. N-Channel Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature .
800
500
8
I D = 3.7A
V DS = 10V
20V
300
200
100
f = 1 MHz
V GS = 0V
C iss
C oss
C rss
6
4
2
15V
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. N-Channel Capacitance Characteristics.
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. N-Channel Gate Charge Characteristics.
8
6
4
2
V DS =10V
T J = -55°C
25°C
125°C
0
0
2
4
6
8
10
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 11. N-Channel Transconductance Variation
with Drain Current and Temperature.
NDS9952A.SAM
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